Các transistor trường ứng (JFET và MOSFET) mà ta đã khảo sát ở trên chỉ thích hợp cho các mạch có biên độ tín hiệu nhỏ như tiền khuếch đại, trộn sóng, khuếch đại cao tần, trung tần, dao động…

Năm 1976, người ta phát minh ra loại transistor trường có công suất vừa, đến lớn với khả năng dòng thoát đến vài chục ampere và công suất có thể lên đến vài chục Watt.

V-MOS:

Thật ra đây là một loại E-MOSFET cải tiến, cũng là không có sẵn thông lộ và điều hành theo kiểu tăng. sự khác nhau về cấu trúc E-MOSFET và V-MOS được trình bày bằng hình vẽ sau:

Khi VGS dương và lớn hơn VGS(th), thông lộ được hình thành dọc theo rãnh V và dòng electron sẽ chạy thẳng từ hai nguồn S đến cực thoát D. Vì lý do này nên được gọi là V-MOS (Vertical MOSFET).

D-MOS:

Cũng là một loại E-MOSFET hoạt động theo kiểu tăng, ứng dụng hiện tượng khuếch tán đôi (double-diffused) nên được gọi là D-MOS. Có cấu trúc như sau:

Các đặc tính hoạt động của V-MOS và D-MOS cũng giống như E-MOSFET. Ngoài ra, các đặc điểm riêng của V-MOS và D-MOS là:

– Điện trở động rds khi hoạt động rất nhỏ (thường nhỏ hơn 1)

– Có thể khuếch đại công suất ở tần số rất cao

– Dải thông của mạch khuếch đại công suất có thể lên đến vài chục MHz

– V-MOS và D-MOS cũng có kênh N và kênh P, nhưng kênh N thông dụng hơn

– V-MOS và D-MOS cũng có ký hiệu như E-MOSFET

Họ FET có thể tóm tắt như sau

Bài tập cuối chương

1. Tính VD, và điện dẫn truyền gm trong mạch:

1. Trong mạch điện sau, tính điện thế phân cực VD và điện dẫn truyền gm.
2.