Điện dẫn truyền có thể được suy ra từ đặc tuyến truyền, đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q

Cũng tương tự như ở BJT, một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền của FET là tỉ số:

Trong đó: gm: là điện dẫn truyền của JFET hay DE-MOSFET với tín hiệu nhỏ

gmo: là gm khi VGS= 0V

VGS: Điện thế phân cực cổng – nguồn

VGS(off): Điện thế phân cực cổng – nguồn làm JFET hay DE-MOSFET ngưng.

Phương trình trên cho ta thấy sự liên hệ giữa điện dẫn truyền gm với dòng điện thoát ID tại điểm điều hành Q. gmo được xác định từ các thông số IDSS và VGS(off) do nhà sản xuất cung cấp.